مشخصات ترانزیستور B649
جنس نیمه هادی:سیلیسیوم (Si)
قطبیت:PNP
حداکثر توان مصرفی (Pc):20W
حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb):180V
حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce):120V
حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb):5V
حداکثر جریان کلکتور(Ic):1.5A
حداکثر دمای محل پیوند (Tj):150C
انتقال فرکانس (Ft):140MHz
ظرفیت خازنی کلکتور (Cc):27pF
حداقل بهره جریان (Hfe)30
قاب ترانزیستور:TO126
کاربردها:audio frequency stage, power transistor, switch, video transistor
نظرات
در حال راهاندازی...